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半導體芯片界公認的“未來材料”——碳化硅

2018-12-25

碳化硅（SIC）是半導體界公認的“一種未來的材料”，是新世紀有廣闊發(fā)展?jié)摿Φ男滦桶雽w材料。預計在今后5～10年將會快速發(fā)展和有顯著成果出現(xiàn)。促使碳化硅發(fā)展的主要因素是硅（SI）材料的負載量已到達極限，以硅作為基片的半導體器件性能和能力極限已無可突破的空間。

根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，碳化硅 (SiC)電力電子市場是具體而實在，且發(fā)展前景良好。這種趨勢非但不會改變，碳化硅行業(yè)還會進一步向前發(fā)展。業(yè)界半導體企業(yè)正在嘗試碳化硅技術，以應用于具體且具有發(fā)展前景的項目。

碳化硅

碳化硅（SiC）是一種寬帶隙材料，與硅相比，具有許多優(yōu)點，例如，工作溫度更高，散熱性能得到改善，開關和導通損耗更低。不過，寬帶隙材料比硅基材料的量產(chǎn)難度更高。因為純硅晶圓的提升空間的局限性，碳化硅的出現(xiàn)也算是半導體芯片的一種導向和突破。

碳化硅特性