MOSFET大致分類：平面型MOSFET；Trench （溝槽型）MOSFET，主要用于低壓領(lǐng)域；SGT（Shielded Gate Transistor，屏蔽柵溝槽）MOSFET，主要用于中壓和低壓領(lǐng)域；SJ-（超結(jié)）MOSFET，主要在高壓領(lǐng)域應(yīng)用。
SGT MOSFET結(jié)構(gòu)具有電荷耦合效應(yīng)，在傳統(tǒng)溝槽MOSFET器件PN結(jié)垂直耗盡的基礎(chǔ)上引入了水平耗盡，將器件電場(chǎng)由三角形分布改變?yōu)榻凭匦畏植迹诓捎猛瑯訐诫s濃度的外延材料規(guī)格情況下，器件可以獲得更高的擊穿電壓。較深的溝槽深度，可以利用更多的硅體積來(lái)吸收EAS能量，所以SGT在雪崩時(shí)可以做得更好，更能承受雪崩擊穿和浪涌電流。在開(kāi)關(guān)電源，電機(jī)控制，動(dòng)力電池系統(tǒng)等應(yīng)用領(lǐng)域中，SGT MOSFET配合先進(jìn)封裝，非常有助于提高系統(tǒng)的效能和功率密度。
功率密度 SGT結(jié)構(gòu)相對(duì)傳統(tǒng)的Trench結(jié)構(gòu)，溝槽挖掘深度深3-5倍，可以橫向使用更多的外延體積來(lái)阻止電壓，顯著降低了MOSFET器件的特征導(dǎo)通電阻（Specific Resistance），例如相同的封裝外形TO-252或TO-263封裝，采用SGT芯片技術(shù)，可以得到更低的導(dǎo)通電阻。 如下圖鋰電保護(hù)控制板①處所示 魯晶采用SGT工藝研發(fā)，在①處可放置LJM90N03T 、LJM120N03T、LJM80N06T等魯晶MOS管 如下圖鋰電保護(hù)控制板②處所示 串聯(lián)結(jié)構(gòu)下，可采用2302、3400等MOS型號(hào) 參數(shù)如下： VGS=10V時(shí)，RDS（ON）=２.６mΩ（典型值） 低柵極電荷、低Crss、快速切換、額定極限dv/dt、100%雪崩測(cè)試、無(wú)鉛電鍍、符合RoHS。 鋰電保護(hù) 掃地機(jī)器人 吸塵器 無(wú)線充電 吸拖洗一體拖把 戶外儲(chǔ)能 移動(dòng)電源 LED電源
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