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全球SiC器件供應(yīng)商匯總

2024-03-05

隨著國家“雙碳戰(zhàn)略”的推進(jìn)，新能源產(chǎn)業(yè)和電動汽車產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展，產(chǎn)生了對功率轉(zhuǎn)換裝置如太陽能逆變器，電動汽車充電樁，車載充電器和馬達(dá)驅(qū)動器等的巨大需求，半導(dǎo)體功率器件是上述各種功率轉(zhuǎn)換裝置的核心。而碳化硅（SiC）材料具有耐高溫和高壓的特點，基于SiC的器件還具有高開關(guān)頻率和低靜態(tài)功耗，在高電壓和大電流的領(lǐng)域，SiC都被認(rèn)為是將取代硅成為功率器件的主流材料。

2027年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模有望突破60億美元。根據(jù)Yole統(tǒng)計，2027年全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模由2021年的10.90億美元增至62.97億美元，2021-2027年每年以34%年均復(fù)合增長率快速增長。

第三代半導(dǎo)體材料滲透率逐年提升，2023年有望接近5%。根據(jù)Yole統(tǒng)計，Si仍是半導(dǎo)體材料主流，占比95%。第三代半導(dǎo)體滲透率逐年上升，SiC滲透率在2023年有望達(dá)到3.75%，GaN滲透率在2023年達(dá)到1.0%，第三代半導(dǎo)體滲透率總計4.75%。

魯晶半導(dǎo)體專注于半導(dǎo)體功率器件（二極管、三極管、MOS管、碳化硅功率器件）研發(fā)、生產(chǎn)、銷售。

圖1全球SiC功率半導(dǎo)體市場規(guī)模預(yù)測（單位：百萬美元）（左）和2017-2023年全球主要半導(dǎo)體材料滲透率及預(yù)測（右）

碳化硅器件市場是一個非常不錯的賽道，最近幾年國內(nèi)外不少廠家都在布局第三代半導(dǎo)體，目前，統(tǒng)計的全球企業(yè)一共107家，其中中國大陸有70家，大約占了三分之二，魯晶半導(dǎo)體近年來一直致力于第三代半導(dǎo)體-SiC功率器件的研發(fā)、封測，為市場提供高效的碳化硅肖特基和碳化硅MOS管等。